（2）等离子体CVD
为了降低热CVD的成膜温度，开发出了等离子体CVD。
直流（Direct Current）等离子体CVD，如【图1】所示，通过在基底与处理物之间引发直流辉光放电，加速气体反应，从而在500～550℃的低温下实现TiN成膜。
这一方法的特征在于，加工出的膜表面比热CVD法更加光滑，而且由于是在低温下完成处理，所以不必担心处理对象因高温而发生变形。
高频（Radio Frequency）等离子体CVD是利用高频振荡加速气体反应，是半导体领域等离子体CVD的主流工艺。这一方法的结构最为简单，且易于实现大型化。直接让处理对象进行高频振荡的方法中，有一种是利用高频线圈使其发生振动。
微波等离子体CVD是通过导波管将GHz的微波送入反应腔中。虽然具备能够稳定获得等离子体以及易于控制等特征，但是装置难以实现大型化。
（3）光CVD
这一方法是利用光的作用促进气体分解与反应，从而实现成膜。通常使用波长在200～400nm的紫外线，可实现SiO2、TiO2、SiH、金刚石等材质的成膜。
光源通常是使用汞灯（低压汞灯波长254nm、高压汞灯365nm）、准分子激光（ArF194nm、KrF248nm）等。由于气体的分解及反应与基底无关，所以装置空间的自由度更高，加工装置也可实现大型化。
